IXFT12N100F Preise (USD) [7792Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT12N100F
- Hersteller:
- IXYS-RF
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 12A TO268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXFT12N100F Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT12N100F
Hersteller :
IXYS-RF
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Serie :
HiPerRF™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268 (IXFT)
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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