BSB012NE2LXIXUMA1 Preise (USD) [95125Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSB012NE2LXIXUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 170A WDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
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BSB012NE2LXIXUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSB012NE2LXIXUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5852pF @ 12V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / fall :
3-WDSON
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