IXTF6N200P3 Preise (USD) [4331Stück Lager]
- 1 pcs$10.00265
- Artikelnummer:
- IXTF6N200P3
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IXTF6N200P3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTF6N200P3
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH
Serie :
Polar™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
143nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
215W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
ISOPLUS i4-PAC™
Paket / fall :
ISOPLUSi5-Pak™
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