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GeneSiC Semiconductor - GA05JT01-46

KEY Part #: K6397796

GA05JT01-46 Preise (USD) [1662Stück Lager]

  • 1 pcs$28.37712
  • 10 pcs$26.70832
  • 25 pcs$25.03877
Artikelnummer:
GA05JT01-46
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS SJT 100V 9A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 elektronische Komponenten. GA05JT01-46 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GA05JT01-46 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA05JT01-46 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GA05JT01-46
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 100V 9A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 20W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-46
Paket / fall : TO-46-3
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