Vishay Siliconix - SI4963BDY-T1-E3

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Artikelnummer:
SI4963BDY-T1-E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4963BDY-T1-E3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI4963BDY-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO

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