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- Artikelnummer:
- PHT8N06LT,135
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - IGBTs - Single ...
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PHT8N06LT,135 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHT8N06LT,135
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11.2nC @ 5V
Vgs (Max) :
±13V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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