ON Semiconductor - RFP12N10L

KEY Part #: K6417798

RFP12N10L Preise (USD) [87402Stück Lager]

  • 1 pcs$0.44737
  • 10 pcs$0.39678
  • 100 pcs$0.29662
  • 500 pcs$0.23004
  • 1,000 pcs$0.18161

Artikelnummer:
RFP12N10L
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor RFP12N10L elektronische Komponenten. RFP12N10L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RFP12N10L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFP12N10L Produkteigenschaften

Artikelnummer : RFP12N10L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3