SCT3120ALGC11 Preise (USD) [12256Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SCT3120ALGC11
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET NCH 650V 21A TO247N.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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SCT3120ALGC11 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SCT3120ALGC11
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 3.33mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 18V
Vgs (Max) :
+22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
460pF @ 500V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
103W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247N
Paket / fall :
TO-247-3
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