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  5. APT30N60BC6

Microsemi Corporation - APT30N60BC6

KEY Part #: K6396965

APT30N60BC6 Preise (USD) [14320Stück Lager]

  • 1 pcs$3.16423
  • 10 pcs$2.84824
  • 100 pcs$2.34179
  • 500 pcs$1.96204
  • 1,000 pcs$1.70887
Artikelnummer:
APT30N60BC6
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT30N60BC6 elektronische Komponenten. APT30N60BC6 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT30N60BC6 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT30N60BC6 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT30N60BC6
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 960µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2267pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 219W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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