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- Artikelnummer:
- IRF40H210
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF40H210 elektronische Komponenten. IRF40H210 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF40H210 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF40H210 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF40H210
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5406pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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