TJ60S06M3L(T6L1,NQ Preise (USD) [102769Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TJ60S06M3L(T6L1,NQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
Serie :
U-MOSVI
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
156nC @ 10V
Vgs (Max) :
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7760pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK+
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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