Toshiba Semiconductor and Storage - TJ80S04M3L(T6L1,NQ

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Artikelnummer:
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ80S04M3L(T6L1,NQ Produkteigenschaften

Artikelnummer : TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Serie : U-MOSVI
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 158nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7770pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK+
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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