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- Artikelnummer:
- IRFHM792TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF elektronische Komponenten. IRFHM792TR2PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFHM792TR2PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFHM792TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFHM792TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
251pF @ 25V
Leistung max :
2.3W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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