IPI084N06L3GXKSA1 Preise (USD) [99327Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPI084N06L3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO262-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPI084N06L3GXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPI084N06L3GXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO262-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 34µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4900pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
79W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO262-3-1
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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