Microchip Technology - VP2206N3-G-P003

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Artikelnummer:
VP2206N3-G-P003
Hersteller:
Microchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VP2206N3-G-P003 Produkteigenschaften

Artikelnummer : VP2206N3-G-P003
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 640mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 450pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 740mW (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-92-3
Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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