CSD19536KCS Preise (USD) [19897Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD19536KCS
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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CSD19536KCS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD19536KCS
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V TO-220
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
150A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
153nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12000pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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