STMicroelectronics - STL12N10F7

KEY Part #: K6415105

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    Artikelnummer:
    STL12N10F7
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STL12N10F7 elektronische Komponenten. STL12N10F7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STL12N10F7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STL12N10F7 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STL12N10F7
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P
    Serie : STripFET™ F7
    Teilestatus : Active
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 44A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.3 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1820pF @ 50V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : PowerFlat™ (3.3x3.3)
    Paket / fall : 8-PowerVDFN

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