APTM120H140FT1G Preise (USD) [2247Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTM120H140FT1G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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APTM120H140FT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM120H140FT1G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3812pF @ 25V
Leistung max :
208W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP1
Supplier Device Package :
SP1
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