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- Artikelnummer:
- ZXMP3F35N8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMP3F35N8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMP3F35N8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
77.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4600pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.56W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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