Infineon Technologies - IRFH7107TRPBF

KEY Part #: K6418604

IRFH7107TRPBF Preise (USD) [69791Stück Lager]

  • 1 pcs$0.56025
  • 4,000 pcs$0.47683

Artikelnummer:
IRFH7107TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - IGBTs - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFH7107TRPBF elektronische Komponenten. IRFH7107TRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFH7107TRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH7107TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFH7107TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3110pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)
Paket / fall : 8-PowerTDFN