Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GT400TH120U

KEY Part #: K6533603

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    Artikelnummer:
    VS-GT400TH120U
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    IGBT 1200V 750A 2344W DIAP.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT400TH120U elektronische Komponenten. VS-GT400TH120U kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VS-GT400TH120U haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GT400TH120U Produkteigenschaften

    Artikelnummer : VS-GT400TH120U
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : IGBT 1200V 750A 2344W DIAP
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    IGBT-Typ : Trench
    Aufbau : Half Bridge
    Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
    Stromabnehmer (Ic) (max.) : 750A
    Leistung max : 2344W
    Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.35V @ 15V, 400A
    Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
    Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 51.2nF @ 30V
    Eingang : Standard
    NTC-Thermistor : No
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 8)
    Supplier Device Package : Double INT-A-PAK

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