FQD2N60CTM Preise (USD) [227124Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQD2N60CTM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQD2N60CTM elektronische Komponenten. FQD2N60CTM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQD2N60CTM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQD2N60CTM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQD2N60CTM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
235pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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