FDD86110 Preise (USD) [81233Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD86110
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD86110 elektronische Komponenten. FDD86110 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD86110 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD86110 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD86110
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.5A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2265pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 127W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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