DMTH6010LPD-13 Preise (USD) [153564Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMTH6010LPD-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMTH6010LPD-13 elektronische Komponenten. DMTH6010LPD-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMTH6010LPD-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMTH6010LPD-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMTH6010LPD-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2615pF @ 30V
Leistung max :
2.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
PowerDI5060-8
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