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- Artikelnummer:
- IPD038N04NGBTMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD038N04NGBTMA1 elektronische Komponenten. IPD038N04NGBTMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD038N04NGBTMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD038N04NGBTMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD038N04NGBTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 45µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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