IXFT23N60Q Preise (USD) [8333Stück Lager]
- 1 pcs$5.43824
- Artikelnummer:
- IXFT23N60Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IXFT23N60Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT23N60Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3300pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
400W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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