IPC014N03L3X1SA1 Preise (USD) [638023Stück Lager]
- 1 pcs$0.19775
- Artikelnummer:
- IPC014N03L3X1SA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC014N03L3X1SA1 elektronische Komponenten. IPC014N03L3X1SA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC014N03L3X1SA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPC014N03L3X1SA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPC014N03L3X1SA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Sawn on foil
Paket / fall :
Die
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