IXFT20N80Q Preise (USD) [13149Stück Lager]
- 30 pcs$7.14771
- Artikelnummer:
- IXFT20N80Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 20A TO-268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT20N80Q elektronische Komponenten. IXFT20N80Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT20N80Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT20N80Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT20N80Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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