SIS990DN-T1-GE3 Preise (USD) [214380Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIS990DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SIS990DN-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIS990DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 50V
Leistung max :
25W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8 Dual
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