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- Artikelnummer:
- BSS159NL6327HTSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSS159NL6327HTSA1 elektronische Komponenten. BSS159NL6327HTSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSS159NL6327HTSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSS159NL6327HTSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSS159NL6327HTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 26µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.9nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
44pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
360mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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