Hersteller :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
25W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
-
Paket / fall :
TO-262-3 Full Pack, I²Pak