Infineon Technologies - FF1200R12KE3NOSA1

KEY Part #: K6533179

FF1200R12KE3NOSA1 Preise (USD) [93Stück Lager]

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Artikelnummer:
FF1200R12KE3NOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 1200V 1200A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF1200R12KE3NOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FF1200R12KE3NOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 1200V 1200A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : 2 Independent
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : -
Leistung max : 5000W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 1200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 86nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 125°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module