Artikelnummer :
IXFA22N65X2
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2310pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
390W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB