IXYS - IXFA22N65X2

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Artikelnummer:
IXFA22N65X2
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 22A TO-263.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA22N65X2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFA22N65X2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2310pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 390W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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