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- Artikelnummer:
- DMN10H170SFG-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN10H170SFG-7 elektronische Komponenten. DMN10H170SFG-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN10H170SFG-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN10H170SFG-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN10H170SFG-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
870.7pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
940mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
Paket / fall :
8-PowerWDFN
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