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Microchip Technology - DN2535N3-G

KEY Part #: K6399935

DN2535N3-G Preise (USD) [133600Stück Lager]

  • 1 pcs$0.28080
  • 25 pcs$0.23667
  • 100 pcs$0.21594
Artikelnummer:
DN2535N3-G
Hersteller:
Microchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology DN2535N3-G elektronische Komponenten. DN2535N3-G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DN2535N3-G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN2535N3-G Produkteigenschaften

Artikelnummer : DN2535N3-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 350V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 Ohm @ 120mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 1W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-92 (TO-226)
Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
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