BTS282ZE3180AATMA2 Preise (USD) [31424Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BTS282ZE3180AATMA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BTS282ZE3180AATMA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BTS282ZE3180AATMA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Serie :
TEMPFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
49V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 240µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
232nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4800pF @ 25V
FET-Funktion :
Temperature Sensing Diode
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7-1
Paket / fall :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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