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- Artikelnummer:
- BTS282ZE3180AATMA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BTS282ZE3180AATMA2 elektronische Komponenten. BTS282ZE3180AATMA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BTS282ZE3180AATMA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BTS282ZE3180AATMA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BTS282ZE3180AATMA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Serie :
TEMPFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
49V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 240µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
232nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4800pF @ 25V
FET-Funktion :
Temperature Sensing Diode
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-7-1
Paket / fall :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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