Infineon Technologies - BSC884N03MS G

KEY Part #: K6404607

[1953Stück Lager]


    Artikelnummer:
    BSC884N03MS G
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSC884N03MS G Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BSC884N03MS G
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
    Serie : OptiMOS™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 34V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta), 85A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 15V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : PG-TDSON-8
    Paket / fall : 8-PowerTDFN

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