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- Artikelnummer:
- IPD03N03LB G
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 90A TO-252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Gleichrichter - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IPD03N03LB G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD03N03LB G
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5200pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
115W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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