Artikelnummer :
IPB020N10N5ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 270µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
15600pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
375W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB