IXFA3N80 Preise (USD) [15784Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFA3N80
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFA3N80 elektronische Komponenten. IXFA3N80 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFA3N80 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFA3N80 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFA3N80
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
685pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
100W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXFA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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