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- Artikelnummer:
- 2SK3662(F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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2SK3662(F) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
2SK3662(F)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Serie :
U-MOSIII
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5120pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
35W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220NIS
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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