Hersteller :
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung :
MOSFET N-CH 350V SOT89
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
350V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 Ohm @ 140mA, 0V
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
200pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-89