RDN100N20FU6 Preise (USD) [1009Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RDN100N20FU6
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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RDN100N20FU6 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RDN100N20FU6
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
543pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
35W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220FN
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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