ON Semiconductor - MTD6N15T4GV

KEY Part #: K6406501

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    Artikelnummer:
    MTD6N15T4GV
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 150V 5A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor MTD6N15T4GV elektronische Komponenten. MTD6N15T4GV kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MTD6N15T4GV haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MTD6N15T4GV Produkteigenschaften

    Artikelnummer : MTD6N15T4GV
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.25W (Ta), 20W (Tc)
    Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : DPAK
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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