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- Artikelnummer:
- SI4420DYPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SI4420DYPBF elektronische Komponenten. SI4420DYPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4420DYPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4420DYPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4420DYPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2240pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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