IXYS - IXFC12N80P

KEY Part #: K6408895

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    Artikelnummer:
    IXFC12N80P
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFC12N80P elektronische Komponenten. IXFC12N80P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFC12N80P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFC12N80P Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXFC12N80P
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
    Serie : HiPerFET™, PolarHT™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 930 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 120W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : ISOPLUS220™
    Paket / fall : ISOPLUS220™