DMN3022LDG-7 Preise (USD) [193178Stück Lager]
- 1 pcs$0.19147
- Artikelnummer:
- DMN3022LDG-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3022LDG-7 elektronische Komponenten. DMN3022LDG-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3022LDG-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3022LDG-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3022LDG-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 25V-30V POWERDI333
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 10A, 5V, 8 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
481pF @ 15V, 996pF @ 15V
Leistung max :
1.96W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerLDFN
Supplier Device Package :
PowerDI3333-8
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