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- Artikelnummer:
- IDP08E65D1XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IDP08E65D1XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IDP08E65D1XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 8A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
80ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-220-2
Supplier Device Package :
TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 175°C
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