DMN3110LCP3-7 Preise (USD) [523372Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN3110LCP3-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMN3110LCP3-7 elektronische Komponenten. DMN3110LCP3-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMN3110LCP3-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMN3110LCP3-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN3110LCP3-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.52nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
150pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.38W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN1006-3
Paket / fall :
3-XFDFN
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