Diodes Incorporated - DMG1012T-13

KEY Part #: K6396408

DMG1012T-13 Preise (USD) [2053609Stück Lager]

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Artikelnummer:
DMG1012T-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG1012T-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMG1012T-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 8V-24V SOT523 TR
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 630mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.737nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60.67pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 280mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-523
Paket / fall : SOT-523